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一、基本特性

歐姆接觸，是一種理想低阻抗接觸。在歐姆接觸中，金屬和半導體交界面處的電阻值遠小于半導體自身的電阻，使得在器件運作時，電壓主要降落在活性區域而非接觸面。其具備線性且對稱的電流 - 電壓（I-V）特性曲線，這意味著電流與電壓呈正比關系，符合歐姆定律。電子能夠自由地在金屬與半導體之間穿梭，幾無障礙，從而形成優異的電流通路，為電極、導線等需要低電阻連接的部位提供了理想選擇。

肖特基接觸則是高阻抗接觸的典型代表。當金屬與半導體接觸形成肖特基接觸時，二者交界面處會出現能帶彎曲現象，進而構筑起肖特基勢壘。此勢壘宛如一道關卡，對電子的流動實施管控，致使接觸電阻增大，電流 - 電壓特性呈現非線性，展現出了明顯的整流效應，為器件實現高速開關、低噪聲以及高靈敏度等功能奠定了基礎，被廣泛應用于肖特基二極管、場效應晶體管等對性能要求苛刻的半導體器件中。

二、形成條件與機制

欲成就優良的歐姆接觸，需滿足雙重先決條件。其一，金屬與半導體之間應具備低勢壘高度，以此提升界面電流中的熱激發部分，增強電子跨越勢壘的能力；其二，半導體需擁有高濃度的雜質摻入（N≥10¹² cm?³），這不僅收窄了半導體的耗盡區，令電子獲得更多的直接隧穿機遇，同時達致降低接觸電阻 Rc 的功效。不過，倘若半導體非硅晶，而是像砷化鎵（GaAs）這類能量間隙較大的半導體材料時，因缺乏適配的金屬，欲形成歐姆接觸則需在半導體表面施行高濃度雜質摻雜，構造出 Metal-n?-n 或 Metal-p?-p 等特異結構。

肖特基接觸的形成機制則與之大相徑庭。當金屬與半導體接壤，由于半導體的電子逸出功通常小于金屬，電子便會從半導體向金屬遷移，在半導體表層締造一個由帶正電且不可移動的雜質離子構成的空間電荷區域。此刻，電場矢量自半導體直指金屬，形成阻礙，遏制電子持續向金屬擴散。這一過程促使界面處半導體能帶發生彎曲，塑造成一個高勢能區，即肖特基勢壘。肖特基勢壘的高度，量化為金屬與半導體逸出功的差值，它決定了電子穿越勢壘的難易程度，進而支配了肖特基接觸的電學特性。

三、器件應用與結構實例

歐姆接觸，憑借其低電阻特性，成為眾多半導體器件中實現高效電流注入與收集的關鍵環節。在各類半導體芯片內部，歐姆接觸扮演著連接不同有源區與無源區的紐帶角色，確保電流能夠順暢流通，保障器件的正常運轉。從基礎的分立元件到復雜的集成電路，歐姆接觸的優質與否直接影響著器件的性能表現與可靠性水平。

肖特基二極管作為肖特基接觸的經典應用實例，其結構精巧而獨特。它總體上由金屬與 N 型半導體組合而成。

陽極由金、銀、鋁、鉬等金屬材質構筑，搭配二氧化硅（SiO?）用以消除邊緣區域的電場效應，借此提升二極管的反向耐壓性能；陰極則涵蓋了低摻雜的 N?外延層、摻雜濃度為 N?外延層 100 倍且具備小通態電阻的 N 型基片、旨在減小陰極接觸電阻的 N?陰極層以及陰極金屬等多重結構。通過精細調控結構參數，能夠在基片與陽極金屬之間締造出恰到好處的肖特基勢壘，賦予肖特基二極管快速恢復、低正向壓降等卓越特性，使其在高頻、高效電源電路等領域大放異彩。

在肖特基二極管的構造中，肖特基勢壘區所對應的 N 型半導體采用低摻雜濃度，而與陰極金屬接觸的 N 型半導體則呈高摻雜濃度態勢，這一設計精妙地凸顯了肖特基勢壘與歐姆接觸的本質差異。低摻雜濃度的 N 型半導體有助于構建顯著的肖特基勢壘，實現有效的電流整流與調控；而高摻雜濃度的 N 型半導體則致力于打造低電阻的歐姆接觸，保障陰極電流的高效注入與收集，二者協同作用，方成就了肖特基二極管的卓越性能。這一構造布局，恰是半導體器件設計中巧妙運用不同類型金屬 - 半導體接觸特性，實現器件功能優化的生動例證，為半導體技術的持續發展與創新應用注入了源源動力。
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