MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）簡(jiǎn)稱 MOSFET，是一種電壓控制的半導(dǎo)體器件，是一種非常重要、廣泛應(yīng)用、技術(shù)含量較高的場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管的特點(diǎn)
高輸入阻抗：MOS管的輸入電阻非常高，一般在10^7~10^15歐姆之間，這使得其在處理微弱信號(hào)時(shí)表現(xiàn)出色。
低噪聲系數(shù)：由于其高輸入阻抗，MOS管的噪聲系數(shù)很低，適用于低噪聲放大電路。
低功耗：MOS管的導(dǎo)通電阻極低，這使得其在工作時(shí)產(chǎn)生的功耗較低，適用于需要高效能電源管理的應(yīng)用。
快速響應(yīng)：MOS管的開(kāi)關(guān)速度極高，適用于高頻應(yīng)用。
寬工作電壓范圍：MOS管適用于不同的電源電壓，從低壓到高壓都有應(yīng)用。
易于集成：由于其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，MOS管易于與現(xiàn)代集成電路技術(shù)集成。
穩(wěn)定性高：MOS管具有較高的熱穩(wěn)定性和抗沖擊性能。
常開(kāi)型設(shè)計(jì)：MOS管可以實(shí)現(xiàn)常開(kāi)式電路（Depletion型MOS管），這可以避免機(jī)械失靈時(shí)出現(xiàn)的危險(xiǎn)情況。
應(yīng)用廣泛：MOS管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)、電源適配器、PC電源、不間斷電源、驅(qū)動(dòng)電源等多個(gè)領(lǐng)域。
mos管的特性
開(kāi)關(guān)特性：首先MOS管是壓控器件，作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，NMOS管只要滿足Vgs大于Vgs（th）即可導(dǎo)通。
開(kāi)關(guān)損耗：MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都比較小。
導(dǎo)通特性：導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。Vgs滿足一定條件就會(huì)導(dǎo)通。
寄生電容驅(qū)動(dòng)特性：GS和GD之間存在寄生電容，MOS管的驅(qū)動(dòng)理論上是對(duì)電容的充放電；對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于電容在充電的瞬間可以作為短路，所以瞬間電流就會(huì)增大。
寄生二極管特性：漏極源極之間有個(gè)寄生二極管，在馬達(dá)繼電器的應(yīng)用中，主要是用來(lái)保護(hù)電路的，不過(guò)寄生二極管只存在單個(gè)MOS管中，集成芯片中是沒(méi)有的。
轉(zhuǎn)移特性：MOS管的轉(zhuǎn)移特性是指漏源電壓固定時(shí)，柵源電壓Vgs對(duì)漏極電流Id的控制特性。
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