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  • MOSFET電路模型構建圖文介紹
    • 發布時間:2023-06-29 20:40:16
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    MOSFET電路模型構建圖文介紹
    MOSFET電路模型的構建
    MOSFET在不同應用場合使用的電路模型是不同的,要搞懂MOSFET作為數字開關和模擬放大中的左右,還是得從MOSFET的特性曲線入手。
    對于MOSFET,電流只有一種情況,就是流經D/S之間的電路,記為IDS,電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線有兩種情況:VGS-IDS和VDS-IDS。
    前者稱為轉移特性曲線,后者稱為輸出特性曲線。
    MOSFET 電路模型構建圖
    輸出特性曲線
    MOSFET 電路模型構建圖
    輸出特性曲線
    這里重點關注輸出特性曲線,我們將前面一段上升區定義為電阻區,或者線性區,后面一段平行直線定義為電流源區或者飽和區。
    如果我們把問題簡化,直接用兩條直線對器件進行建模:
    MOSFET 電路模型構建圖
    前一段,這個MOSFET就等效為一個電阻,后一段等效為一個壓控的電流源,壓控的電壓為Ugs,壓控能力是一個平方關系,具體可參考半導體器件相關書籍。如果開啟的電壓Ugs沒有達到MOSFET的閾值電壓Ut的話,這個時候MOSFET相當于一個開路。
    總結:
    MOSFET 電路模型構建圖
    在實際的應用過程中,MOSFET電阻區和截止區主要應用在CPU等邏輯芯片中,而恒電流區應用在基于MOSFET的信號放大電路中。
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