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  • MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析
    • 發布時間:2023-05-26 17:09:58
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    MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析
    分別找一份PMOS和一份NMOS的datasheet,看下導通電阻的正溫度特性,閾值電壓的負溫度特性是什么樣的。
    下面兩張圖分別PMOS的導通電阻與閾值電壓隨溫度變化的曲線。
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 溫度
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 溫度
    下面兩張圖分別NMOS的導通電阻與閾值電壓隨溫度變化的曲線。
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 溫度
    MOS管 RDS(on) VGS(th) 溫度
    可以看出,不管是NMOS還是PMOS,導通電阻RDS(on)都隨著溫度的升高而增大,閾值電壓絕對值都隨溫度的升高而降低。
    MOS管的導通電阻與其中的載流子遷移率有關,載流子遷移率越慢,導通電阻越大。
    MOS管反型層中的電子和空穴遷移率隨著溫度升高而下降。這是由于溫度升高,載流子在溝道中受到的散射幾率增加的緣故。
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