弱反型與強(qiáng)反型之間的轉(zhuǎn)換點(diǎn)
弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U(kuò)散電流。模型的表達(dá)式變?yōu)橹笖?shù)特性而不是平方律
弱反型區(qū)適合低功耗電路，因?yàn)殡娏骱苄。珕栴}在于較大的噪聲以及低速（用增益帶寬積表征）
關(guān)于如何計算轉(zhuǎn)換點(diǎn)
根據(jù)經(jīng)驗(yàn)結(jié)論，n約為1.2，kT/q為26mV，轉(zhuǎn)換點(diǎn)過驅(qū)動電壓約為70mV（工作在哪個區(qū)只與過驅(qū)動電壓有關(guān)，與溝道長度，寬長比均無關(guān)，因此在未來一段時間內(nèi)的CMOS工藝都可以選擇這樣的過驅(qū)動電壓來確保MOS管工作在強(qiáng)反型區(qū)）
強(qiáng)反型與速度飽和區(qū)的轉(zhuǎn)換點(diǎn)
速度飽和區(qū)溝道電場很強(qiáng)，所有電子以最大速度運(yùn)動，跨導(dǎo)gm與溝道長度無關(guān)且這是MOS管能達(dá)到的最大跨導(dǎo)。由于跨導(dǎo)不變，消耗的電流IDS卻在增加，一般不設(shè)計MOS管工作在這一區(qū)。
關(guān)于速度飽和區(qū)電流公式：
關(guān)于轉(zhuǎn)換點(diǎn)計算
轉(zhuǎn)換點(diǎn)隨著溝道長度的減小而減?。M電路設(shè)計中常用.13μm工藝是因?yàn)榇藭r對應(yīng)的轉(zhuǎn)換點(diǎn)電壓為0.62V，再縮短尺寸就不再確保MOS管工作在強(qiáng)反型區(qū)）
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