本電源技術(shù)購買指南以易于理解的術(shù)語介紹了一些重要類型組件的主要屬性和功能。該指南專門針對采購專業(yè)人員，涵蓋了從簡單的元器件到比較復雜的IC等主要組件。本文還提供一個可下載指南，其中包括電源領(lǐng)域中常用術(shù)語的詞匯表。
電源是現(xiàn)代電子設(shè)計的重要部分，并且市面上有許多可用的組件能夠幫助工程師設(shè)計出節(jié)能、緊湊的電源產(chǎn)品。這些組件范圍從簡單的二極管等分立元件到采用高級半導體架構(gòu)的復雜電源管理IC。
設(shè)計高能效電源是一項極具挑戰(zhàn)的任務，電源工程師需要這些電源產(chǎn)品提供盡可能多的功率（通常需要比上一代產(chǎn)品提供更高的功率），同時又需要使其體積盡可能小。但是，在較高的功率水平級別，會產(chǎn)生很多需要消散的熱量，不斷積累的熱量會對電源產(chǎn)品的長期可靠性帶來負面影響。
考慮到熱量與效率成反比關(guān)系，在幾乎所有有關(guān)電源的討論中，效率都是一個重要話題。效率提高意味著產(chǎn)生的熱量更少，因此可以需要更少的熱管理手段。這是工程學中為數(shù)不多的真正“雙贏”產(chǎn)品設(shè)計之一，因為這樣減小了電源尺寸，提高了功率密度，降低了BOM成本，同時降低了運營成本，并提高了可靠性。
電源中使用的組件會對整體效率產(chǎn)生重大影響。本文將簡要分析各種主要組件類別。
二極管
如果使用管道作為類比，可以將二極管視為一種單向閥，它允許電流沿單向（從陽極到陰極）通過，但會阻止任何反向電流流動。二極管通常用于將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）的整流過程，其中四個二極管背靠背排列（如圖2所示），這種電路稱為全波“橋”形整流。在整流應用中，需要考慮的主要參數(shù)是正向電流額定值（安培）和可以承受的反向電壓。二極管在開關(guān)應用中也很有效。
市場上有幾種可供選擇的二極管類型（見圖1），在電流導通時，由于每種特定類型相關(guān)的正向電壓不同，這些二極管的區(qū)別變得尤其明顯。常規(guī)二極管的壓降最大，這會導致更多的損耗，以及二極管中的散熱。而肖特基二極管的正向壓降更低，這使其損耗較小，但需要權(quán)衡的因素是其反向擊穿電壓較低。
二極管在電流導通和阻止交流電流之間的轉(zhuǎn)換速度也很重要。采用常規(guī)材料制成的二極管速度有快有慢，而肖特基二極管（Schottky diodes）的速度幾乎都很快。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等全新寬帶隙（wide－bandgap）半導體材料現(xiàn)在已經(jīng)被用于二極管組件，這些新材料可以改善所有主要性能參數(shù)（如溫度額定值、正向電壓、反向擊穿電壓和速度等）。毫不奇怪，這些新型組件目前價格也比較昂貴，但其單價會隨著產(chǎn)量的增大而降低。
齊納二極管（Zener diode）是一種特殊類型二極管，用于鉗位瞬態(tài)電壓或創(chuàng)建相當精確的電壓基準。這種獨特的二極管可阻止反向電流直至某個特定電壓，然后允許電流流過。通常選擇齊納二極管時需要考慮反向擊穿電壓。
功率晶體管
晶體管是一種能夠由電壓控制的固態(tài)開關(guān)。電流能夠在“集電極”和“發(fā)射極”之間通過，這取決于基極上的電壓。通過以高電壓或低電壓驅(qū)動基極，晶體管可以用作硬開關(guān)，這意味著電流或為滿量程，或為零。在基極上具有中間電壓的情況下，晶體管在其線性區(qū)域操作，并且電流由基極電壓控制。
雙極結(jié)型晶體管（BJT）是最簡單的晶體管類型，通常僅用于低功率設(shè)計。BJT具有幾個不同的參數(shù)，但主要參數(shù)包括額定電流，在基極關(guān)斷時承受集電極和發(fā)射極之間電壓的能力、工作速度和電流增益（基極電流與集電極－發(fā)射極電流之比）。根據(jù)控制電壓和開關(guān)電壓的極性，BJT可分為NPN或PNP型，并使用略有不同的符號，如圖3所示。
另一種類型晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。與BJT相似，它們也是三極器件，但是各個極獲重新指定。在MOSFET中，控制引腳稱為“柵極（gate）”，受控電流在“漏極（drain）”和“源極（source）”之間通過。MOSFET的主要參數(shù)類似于BJT，包括額定電流、關(guān)斷時可承受的漏－源極電壓以及能夠提供的功率。
對于功率應用中的MOSFET，最重要的參數(shù)是導通時在漏極和源極之間測得的電阻，這稱為“導通電阻”，其符號為RDS（ON）。導通電阻會造成MOSFET固有的功率損耗，并且對電源設(shè)計的整體功率損耗影響很大。另一個重要參數(shù)是驅(qū)動柵極所需的電荷量，稱為柵極電荷，用符號QG表示。這些電荷需要在每個開關(guān)周期提供，因此對高頻電源的損耗影響更大。
由于MOSFET的功率損耗通常低于BJT，因此MOSFET可用于更高功率應用，尤其是現(xiàn)代高速設(shè)計，因為它們能夠以比BJT更高的頻率工作。MOSFET主要有四種類型，N溝道和P溝道兩種類型如圖4所示，另外還有增強模式和耗盡模式器件。這些名稱也確定了器件的極性，以及柵極是在常關(guān)（normally－off）模式還是在常開（normally－on）模式下工作。所有MOSFET均可在漏極和源極之間雙向傳導。
BJT和MOSFET技術(shù)可以組合使用，以創(chuàng)建另一種晶體管，稱為絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。這種器件也具有一個門極（gate）以及一個集電極和一個發(fā)射極，但是由于它們速度相對較慢，并且是較舊的產(chǎn)品，因此一般僅在開關(guān)模式下使用。盡管IGBT通常頻率限制在50kHz左右，但它們可以應對更高的功率水平（典型值高達5kV／400A）。因此，它們通常部署在電機控制、動力電源和大型逆變器等高功率應用中。
最后一種類型晶體管是晶閘管（thyristor），也稱為交流三極管（TRIAC）或可控硅整流器（SCR）。區(qū)別在于TRIAC可以雙向?qū)ǎ鳶CR只可以單向?qū)ǎ@些器件的符號都代表了相應器件類型，如圖5所示。兩種類型都是由門極引腳控制的鎖存開關(guān)（latching switches），它們都非常適合大功率應用。
寬帶隙技術(shù)
自從半導體器件發(fā)明以來，硅一直是首選基礎(chǔ)材料，但是，為了將功率器件性能提升到新的水平，上面提到的寬帶隙材料（即SiC和GaN）正變得越來越普遍。與同類硅器件相比，寬帶隙材料能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)，工作時具有更低的損耗，并且可以在更高溫度下工作。SiC和GaN最初針對MOSFET，目標是在效率和開關(guān)速度方面需要獲得最大改進的應用。
電源管理IC
電源轉(zhuǎn)換有多種類型：AC－DC、DC－DC和DC－AC，就像電源轉(zhuǎn)換方法種類繁多一樣，電源應用中使用的IC也多種多樣。對于這些，有許多拓撲架構(gòu)可適用于特定的應用標準。一些最流行的拓撲架構(gòu)包括降壓、升壓、橋式、半橋等。一些制造商提供的IC可以用作電源系統(tǒng)設(shè)計的控制器，通常一個完整的設(shè)計僅需要外部MOSFET和一些分立元件即可，從而縮短了開發(fā)時間。
某些設(shè)計可能要求進行線性轉(zhuǎn)換，但這些往往適用于需要超低噪聲的醫(yī)療和科學儀器等專業(yè)應用。一些線性控制器需要外部MOSFET，而另外一些則內(nèi)置有MOSFET，因而它們通常被稱為“三端穩(wěn)壓器（three－terminal regulators）”。線性轉(zhuǎn)換的效率往往較低，在輸入和輸出電壓之間的差異較大時更是如此。
通常，開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換更為常見，市場上也擁有更多這種IC。專為低功率應用而設(shè)計的器件可能在控制器內(nèi)集成有MOSFET，而對于高功率應用，它們通常是獨立的。有些器件可能很復雜，并且需要設(shè)計多相電源解決方案。還有許多IC能夠集成到更大、更復雜的系統(tǒng)中，可用于與電源相關(guān)的其他功能。
盡管許多控制IC看起來可以彼此互換，但在這一領(lǐng)域也有大量的專有技術(shù)。有時，制造商可能通過許可協(xié)議進行合作以共享某些技術(shù)，但在許多情況下，產(chǎn)品之間可能存在細微差異，這容易讓大家忽略其中的差異，并在實施時引起問題。
功率組件封裝選項
功率轉(zhuǎn)換是仍然在繼續(xù)使用通孔組件的少數(shù)幾個領(lǐng)域之一，這是因為需要將組件安裝在散熱器上。但是，大多數(shù)組件都具有表面貼裝選項，常見類型如圖6所示。封裝技術(shù)發(fā)展迅速，許多制造商找到了創(chuàng)新的途徑來將熱量從芯片中散發(fā)出去。這能夠提高性能基準，實現(xiàn)更高的功率密度，同時還確保了長期運行的可靠性。
總結(jié)
電源設(shè)計可能是一個復雜的領(lǐng)域，設(shè)計師在如何實現(xiàn)更好的規(guī)格參數(shù)以及滿足效率和安全標準等方面面臨巨大挑戰(zhàn)。市場上有許多用于電源系統(tǒng)的器件，它們大致可分為三類：二極管、電源開關(guān)（其中包括晶體管和MOSFET）、以及提供電源所需功能的更復雜集成電路。
為了讓電源產(chǎn)品提供更多功能和更高性能，新器件也在不斷出現(xiàn)。效率和可靠性是關(guān)鍵指標，新型寬帶隙材料盡管價格較高，但技術(shù)的發(fā)展趨勢正在轉(zhuǎn)向這種更加堅固耐用，同時性能更高的器件。
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