N溝道結型場效應管
從結型場效應管的結構可以看出，在柵極和導電溝道之間存在一個PN結。我們以N溝道結型場效應管為例來說明。
如圖所示。當在漏極D和源極S之間加上電源ED后，則在N型溝道中產生從漏極流向源極的電流 ID 。由PN結的特性可知，若在柵極G和源極S間加上負電壓 EG ，PN結的寬度增加，且負電壓越大，PN結就越寬，造成溝道變窄，溝道電阻變大，因此只要改變偏壓 U GS 便可控制漏極電流 I D 的大小，場效應管的電壓控制作用就體現(xiàn)于此。
當 EG 增大超過 U P （預夾斷電壓），溝道變窄到幾乎消失，此時我們稱發(fā)生了夾斷。其大小受這樣沿著溝道方向產生一個連續(xù)的電壓降落，因此溝道各點與柵極G之間的電位差也不相等， E D =0，
通常結型場效應管的柵、源極之間總是處于反向偏置狀態(tài)，因此其輸入電阻很高。
增強型mos管(分為N溝道和P溝道兩種)
我們不去研究它的具體原理，我們只需知道如何使用就可以了：
從上圖可見，N+型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被P型襯底隔開，漏極和源極之間好像是兩個背靠背的PN結，當UGS=0時，不管漏極和源極間所加電壓的極性如何，其中總有一個PN結是反向偏置的，反向電阻很大，漏極電流ID近似為零，即不具有原始導電溝道。
如果在柵極和源極之間加正向電壓UGS，情況就會發(fā)生變化，在UGS的作用下，產生了垂直于襯底表面的電場。
由于二氧化硅絕緣層很薄，因此即使UGS很小（如只有幾伏），也能產生很強的電場強度。柵極附近硅片中的空穴被排斥，而硅片與N+區(qū)中的電子被吸引，形成一個電子薄層。這個薄層就成為漏極與源極之間的導電溝道，被稱為N型溝道。在漏源電壓UDS作用下，由于N型溝道導通，就形成了漏極電流 ID，通常把開始導電時的UGS稱為開啟電壓，用UT表示。UGS越大，感應的電子越多，N型導電溝道越寬，溝道電阻就越小，漏極電流ID就越大。
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