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  • 電容-什么是電容-電容的作用是什么
    • 發布時間:2019-10-15 15:49:05
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    電容
    在MOS模擬集成電路中,電容也是一種不可或缺的元件,由于其易于與MOS器件相匹配,制造較易,且工藝制造的匹配精度比電阻好,所以得到了較廣泛的應用。在CMOS電路中,人多數電容都用Si02作為介質,但也有某些工藝中采用Si02/Si3N4夾層介質,利用Si3N4較高的介電常數特性來制作較大值的電容。另外由于沉積氧化層厚度有較大的偏差,因此沉積氧化物通常不適用于制作精密電容器。
    在理想情況下,電容值可用式(1.62)進行計算
    電容
    式(1.62)中,W、L別為電容上下極板的寬、長,ε0x為介質層的介電常數,tox為介質層的厚度。電容的標準偏差為
    電容
    通常選擇W、L(提高電容的Q值),則式(1.63)中后兩項的誤差取決于光刻誤差,通常稱之為邊緣誤差;而式(1.63)中前兩項的誤差為氧化層效應誤差。在小電容時,起主導作用的是邊緣效應誤差,而人電容時主要取決于氧化層誤差。
    電容器的比例精度主要取決于它們的面積比(特別是小電容)。下面介紹幾種主要的電容結構。
    1.PN結電容
    直接利用PN結構成的電容,這類電容具有大的電壓系數和非線性,除了用做濾波電容或變容管外并不常用。
    2.MOS電容
    只適用于NMOS與CMOS金屬柵工藝,如圖1.25所示。
    這類電容的溫度系數為25xl0-6/℃,電容誤差為土15%,電壓系數為25x10-6/v.這是一種與電壓相關性很大的電容。
    3.多晶與體硅之間的電容
    由NMOS或CMOS多晶硅柵(金屬柵)工藝實現,需要額外增加一次離子注入形成底板的N+重摻雜區,以多晶硅為上極板,二氧化硅為介質,N+為下極板構成電容,如圖1.26所示。
    電容
    電容
    由于其襯底必須接一個固定電位以保證N+和P-S襯底構成的PN結反偏,此時多晶與體硅間的電容可認為是一個無極性的電容,但存在底板PN結寄生電容(15%一30%)。
    這類電容的電壓系數為-10x10-6/V溫度系數為20~50xlO-6/℃,誤差為±15%。
    另外,這類電容可以通過多晶條的激光修正來調節電容值。
    4.多晶與場注入區間的電容
    只能在帶場注入的NMOS與CMOS硅柵工藝中采用,由于該電容的介質為厚的場氧化層,所以單位面積的電容較小。
    在應用這類電容時,電容的底板必須與襯底相連。
    5.金屬與多晶電容
    通過NMOS與CMOS硅柵下藝實現,在蒸鋁之前用光刻的方法刻去多晶硅上的厚氧化層,然后在制作柵氧化層時在多晶硅上熱生長—氧化層,最后蒸鋁,從而得到了鋁氧化層-多晶硅電容,如圖1.27所示,這種電容通常位于場區。
    這種電容可以對多晶條進行修正以獲得較精確的電容值。
    因為由于介質變化與張弛使得在Q-V中的滯后,所以CVD氧化層不適用于作為電容介質。
    在多晶硅與襯底之間存在寄生電容,由于其介質為厚的場氧化層,因此該寄生電容很小,通常為所需電容的十分之一:而從可靠性考慮,其金屬層必須人于介質氧化層,所以金屬層與襯底間存在寄生電容,但其值則更小,只為所需電容的1%左右。
    此類電容的電壓系數為100x10-6/V,溫度系數為:100*10-6/℃。
    當然也可以用多晶硅作為電容的上極板,而金屬作為其下極板,介質為氧化層構成電容。
    6.雙多晶電容(PIP電容)
    NMOS與CMOS雙多品工藝實現,其上下極板都為多品,介質為薄氧化層,如圖1.28所示。介質氧化層一般與柵氧同時形成。
    電容
    電容
    這類電容的電壓系數為100*10-6/v溫度系數為100*10-6/℃。
    多晶2的面積可以小于薄氧化層面積,從而只有較小的寄生電容(厚氧電容),由于雙層多晶硅電容具有性能穩定、寄生電容小等優點,因此在MOS集成電路中有廣泛的應用。
    7.用MOS器件作電容
    由于MOS管中存在著明顯的電容結構,因此可以用MOS器件制作成一個電容使用。如果一個NMOS管的源、漏、襯底都接地而柵電壓接正電壓,當VG上升并達到Vth時在多晶硅下的襯底表面將開始出現一反型層。在這種條件下NMOS可看成一個二端器件,并且不同的
    柵壓會產生厚度不一樣的反型層,從而有不同的電容值。
    (1)耗盡型區:柵壓為一很負的值,柵上的負電壓就會把襯底中的空穴吸引到氧化層表面,即構成了積累區,此時,由于只有積累區出現,而無反型層,且積累層的厚度很厚,因此積累層的電容可以忽略。故此時的NMOS管可以看成一個單位面積電容為Cox的電容,其中
    間介質則為柵氧。當VGS上升時,襯底表面的空穴濃度下降,積累層厚度減小,則積累層電容;
    增大,該電容與柵氧電容相串聯后使總電容減小,直至VGs趨于0,積累層消失,當VGS略大于o時,在柵氧下產生了耗盡層,總電容最小。
    (2)弱反型區:VGS繼續上升,則在柵氧下面就產生耗盡層,并開始出現反型層,該器件進入了弱反型區,在這種模式下,其電容由Cox與Cb串聯而成,并隨VGS的增人,其電容量逐步增大。
    (3)強反型區:當VGS超過Vth,其二氧化硅表面則保持為一溝道,且其單位電容又為Cox。圖1.29顯示了這些工作狀態。
    電容
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